Lexar 2TB High Speed PCIe Gen3 with 4...
Lexar 2TB High Speed PCIe Gen3 with 4...
Склад София

Lexar 2TB High Speed PCIe Gen3 with 4 Lanes M.2 NVMe

LNM620X002T-RNNNG
На склад
337,01 €
С вкл. данък 659.13 лв.
Lexar 2TB High Speed PCIe Gen3 with 4 Lanes M.2 NVMe, up to 3500 MB/s read and 3000 MB/s write_AS

12 x 32.16 евро

Купи на изплащане със стоков кредит от Банка ДСК

• Улеснена процедура за електронно подписване
• Атрактивни условия по кредита
• Параметри изцяло по Ваш избор
• Одобрение до няколко минути изцяло онлайн

Размер на кредита /евро/
Месечна вноска /евро/
Обща дължима сума /евро/
ГПР /%/
Изчисленията са направени при допускането за първа падежна дата след 30 дни и са с насочваща цел. Избери най-подходящата месечна вноска.
Lexar 2TB High Speed PCIe Gen3 with 4 Lanes M.2 NVMe, up to 3500 MB/s read and 3000 MB/s write_AS
Минимална температура на околната среда
0 °C
Гаранционни условия (месец)
60 мес.
Maximum Sequential Write Rate
3000 MB/s
Ширина
80 мм
Капацитет на устройство за съхранение на данни
2 TB
Брой в пакет
1
Толеранс за вибрации при работа
20G
Включени аксесоари
Ръководство за употреба
Макс. околна температура в изключен режим
85 °C
Ударо устойчивост при работа
1500G @ 0.5ms
Пакети в кашон
10
Drive Writes Per Day (DWPD)
0.44
Критерии за валидност на гаранцията
Сериен номер
Номинално тегло
9 г
Maximum Random Read Rate
350000 IOPS
EAN код
843367123179
Гаранционни продукти - подлежащи на връщане
Да
Максимална температура на околната среда
70 °C
Maximum Sequential Read Rate
3500 MB/s
Височина
2.45 мм
Средно време между повреди
1500000 ч.
Тегло на пакет - Бруто (кг)
0.06 кг
Total Bytes Written (TBW)
1000 TB
Дълбочина
22 мм
Поддържан канал за данни
NVMe PCIe® Gen3
Тегло на кашон - Бруто (кг)
0.65 кг
Solid State Drive Features
NVMe SupportLow-Density Parity Check
Сертификати
CE, FCC, VCCI, C-tick
Мин. неработна околна температура
-40 °C
Ударо устойчивост при съхранение
1500G @ 0.5ms
Тип пакет
С опаковка
Защита от влияние от външна среда
Shock Proof ConstructionVibration proof
Форм фактор
M.2 22x80mm
Технология на паметта
3D NAND
Maximum Random Write Rate
256000 IOPS
Разположение на устройството
Plug-in Module
No reviews
Склад София
Product added to wishlist
Добавен

Сайтът използва бисквитки за персонализиране, проследяване на интереси, статистика и анонимно таргетиране.

За повече подробности прочетете нашата политика за лични данни и употреба на бисквитки и общи условия за ползване на сайта.